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| | | 三星電子公司于近日宣布他們在閃存大容量存儲方面取得了重大突破，他們已經(jīng)在70納米的芯片上放置了4GB的閃存。 這種70nm（納米）的芯片將會(huì )將取代只有2GB 閃存的90nm的芯片，并且性能會(huì )提高百分之五十，讀寫(xiě)速度達到16MBps。性能的提高最終可以給用戶(hù)提供高清晰度的視頻圖像。
公司現在正在大規模生產(chǎn)這種閃存，估計在年底之前，會(huì )由六月份的每月生產(chǎn)4,000 個(gè)上升到每月生產(chǎn)15,000個(gè)。 | |
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